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主要成员参与多用户碳化硅研究和制造设施 (MUSiC) 的奠基仪式

据报道，该工厂占地 18,660 平方英尺，毗邻研究和技术园区的国家可靠电力传输中心，将解决美国在开发用于各种电子设备、电路和技术的碳化硅电子产品方面的竞争力障碍。该建筑将设有约 8,000 平方英尺的洁净室，用于制造和测试。

该工厂内的教育和培训还将加速劳动力发展，帮助培养下一代半导体制造工程师和技术人员，Mantooth 和其他领导人表示，这对于将半导体制造带回美国至关重要。

回顾MUSiC计划

2021年，美国国家科学基金会（NSF）加上美国陆军研究实验室的额外支持。合计计划拨款约1800 万美元投入阿肯色大学的MUSiC计划（Multi-User SiC Research and Fabrication Facility）。用于在阿肯色大学建造和运营国家碳化硅研究和制造设施。新建的设施预计将在2025年1月完工，届时MUSiC将全面启用。

它将填补美国用碳化硅制造的集成电路的生产空白。当时美国大学杰出的电气工程教授、MUSiC的首席研究员Alan Mantoth介绍：“碳化硅已经被研究了很长时间，但直到最近，由于缺乏高质量的碳化硅晶圆，将其用作完全开发的半导体的努力一直受到阻碍。目前，美国所有碳化硅制造设施仅供内部使用，美国碳化硅集成电路的研发依赖于国际制造。”

阿尔伯塔大学设施将为美国国内提供芯片制作、原理验证演示和设备设计的机会。它将是美国同类中唯一可公开访问的制造设施，这意味着其设施和服务将向外部研究人员开放。

Alan Mantoth解释：“有了MUSiC，这所大学可以开始培训下一代各种学位水平的人才，为半导体制造业的国内供应商提供训练有素、受过良好教育的人才。”

除此之外，Alan Mantoth还重点强调了8英寸碳化硅晶圆的开发工作，他表示，与使用硅制造的IC相比，设计和制造碳化硅IC面临着独特的挑战。硅掺杂可以在适当的工艺温度下扩散，从而能够精确控制结深度、载流子密度和迁移率。而在碳化硅中，掺杂流动性较差，扩散受限，需要多次注入才能实现所需的掺杂分布和深度。这也增加了额外的步骤和成本。

另外，碳化硅具有独特的材料特性，需要进行更高温度的处理，例如注入后的晶圆退火，需要开发相应的替代技术来解决这个问题。但随着技术的进步和规模经济效益的实现，预计8英寸碳化硅将变得更具成本效益，进一步推动其在各种应用中的采用，所以如何加快8英寸碳化硅晶圆的技术研发也是MUSiC的重要课题。

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